新華社北京６月２６日電（記者余曉潔）到２０３０年，第三代半導體産業力爭全産業鏈進入世界先進行列，部分核心關鍵技術國際引領，核心環節有１至３家世界龍頭企業，國産化率超過７０％……第三代半導體發展戰略發布會２５日在京舉行。第三代半導體産業技術創新戰略聯盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導體的“中國夢”。

　　第二屆國際第三代半導體創新創業大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與倣真方面的技術應用創新，以及商業模式創新等內容徵集參賽項目。

　　第三代半導體是以氮化鎵和碳化矽為代表的寬禁帶半導體材料。“第一代、第二代半導體技術在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升已經逼近材料的物理極限，難以支撐新一代信息技術的可持續發展，難以應對能源與環境面臨的嚴峻挑戰，難以滿足高新技術及其産業發展，迫切需要發展新一代半導體技術。”中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓在發布會上説。

　　以通信産業為例，鄭有炓認為，氮化鎵技術正助力５Ｇ行動通訊在全球加速奔跑。“５Ｇ行動通訊將從人與人通信拓展到萬物互聯。預計２０２５年全球將産生１０００億的連接。”鄭有炓説，５Ｇ技術不僅需要超頻寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性以支援海量設備的互聯。氮化鎵毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。

　　吳玲表示，我國第三代半導體創新發展的時機已經成熟，處于重要窗口期。但目前仍面臨多重困境：創新鏈不通，缺乏有能力落實全鏈條設計、一體化實施的牽頭主體；缺乏體制機制創新的、開放的公共研發、服務及産業化中試平臺；核心材料、器件原始創新能力薄弱。

　　專家建議，要依托聯盟建設小核心、大網絡、主平臺、一體化的第三代半導體産業創新體係。

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責任編輯： 王萌萌