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新華社合肥4月13日電(記者徐海濤)合肥工業大學王敏、陳翌慶教授團隊與韓國成均館大學科研人員合作,近期首次制備出大晶粒非層狀結構的硒化鎳薄膜,並成功將其構築為光探測器陣列,為新一代柔性圖像感測器的研發提供了新方法。國際學術期刊《先進材料》日前發表了該成果。
圖像感測器可以將光學圖像轉換為電子資訊,在電子光學設備中應用廣泛。未來的可穿戴智能設備要求圖像感測器具有柔性可以彎曲折疊,而目前在數位相機中廣泛應用的整合圖像感測器,由于不具有柔性難以滿足未來需求。目前研究認為,柔性低維材料是硅基底的理想替代者。
合肥工業大學與韓國成均館大學近期組成聯合科研團隊,提出了一種新的界面限域外延生長方法,成功制備出高品質大晶粒非層狀結構硒化鎳薄膜。他們通過硒化鎳微米帶陣列的圖形化生長,構築高性能且均勻性好的光探測器陣列,為柔性圖像感測器的實現奠定了基礎。
據介紹,由于這種新型材料薄膜的晶粒達到微米尺度,晶粒間的晶界減少,顯著降低了晶界對載流子的散射,從而大幅提高了光探測器的響應度。實驗結果表明,基于微米尺度晶粒的高品質硒化鎳薄膜所制備的光探測器,每瓦光照可以獲得150安培的電流,其響應度比奈米尺度晶粒的薄膜提高了4個量級。
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