[신화망 베이징 2월27일] 칭화(淸華)대 공정물리학과 탕촨샹(唐傳祥) 교수 연구팀이 독일 연구진과 함께 '극자외선 포토레지스트(EUV PR)'에 활용될 수 있는 신형 입자 레이저 광원의 연구를 진행했다. 이는 25일 영국의 국제학술지 '네이처(Nature)'에 게재됐다.
이 연구의 정식 명칭은 '정상 상태(Steady-state) 마이크로번칭(Microbunching) 메커니즘의 실험적 입증(SSMB)'으로 광자학 연구에 새로운 기회를 제공할 것이라는 평가를 받고 있다.
이는 차세대 소재인 EUV PR의 중국 자체 기술 개발에 사용될 것으로 기대된다. 탕촨샹 교수는 “SSMB가 향후 EUV PR의 광원으로 쓰일 수 있다"고 설명했다.
PR은 집적회로 제조의 핵심 단계로 반도체 산업사슬의 필수 설비다. 현재 업계에서는 파장 13.5nm 광원을 사용하는 EUV PR을 차세대 주류 기술로 보고 있으며 고출력 EUV 광원은 EUV PR의 핵심이다.
탕 교수는 "PR에 필요한 EUV 빛은 파장이 짧고 출력이 커야 한다"고 설명했다. 이어 그는 "SSMB 기반 EUV 광원은 전력 효율이 높을 뿐 아니라 더 짧은 파장으로 확장할 수 있는 잠재력을 갖고 있기 때문에 고출력 EUV 광원 기술 돌파에 새로운 해결 방법을 제공할 수 있다"고 말했다.
네이처는 "SSMB 광원이 향후 EUV 광각과 각도 분해능 광전자 스펙트럼 등 분야에 응용될 수 있을 것"이라는 평가를 내놓았다.
원문 출처:신화통신 한국어 뉴스 서비스
