韓國三星電子公司２０日説，已經研製出全球最小ＤＲＡＭ芯片，將在全球率先量産。

　　這款芯片為第二代１０納米級８千兆字節ＤＤＲ４　ＤＲＡＭ。去年２月，三星電子實現第一代１０納米級ＤＲＡＭ芯片的量産。

　　三星介紹，第二代１０納米級ＤＲＡＭ産品採用超高速、超節電、超小型電路設計等最新工藝技術，較第一代１０納米級速度提高１０％以上，耗電量節省１５％以上，生産效率提高３０％。

　　ＤＲＡＭ是動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。（卜曉明）【新華社微特稿】

【糾錯】

責任編輯： 許義琛