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新華社日內瓦9月10日電(記者劉曲)磁存儲是已被使用數十年的存儲技術,但它的一個問題是速度較低。瑞士研究人員報告説,找到了極大提高磁存儲速度的方法,有望讓計算機在不久的將來用上高速的磁內存,從而大大減少計算機啟動時間。
自從國際商用機器公司(IBM)於1956年推出第一個磁盤存儲器以來,磁存儲器因其長壽命和低成本的優勢,一直被用來存儲信息,比如作為計算機的硬盤。傳統磁存儲器通過帶電線圈産生的磁場變化來改變存儲介質的磁性,從而實現存儲信息,但其速度跟不上越來越快的計算機處理器,難以用作對速度要求高的內存。
瑞士蘇黎世聯邦理工大學材料係教授彼得羅·甘巴爾代拉領導的團隊在新一期英國《自然·納米技術》雜誌上發表報告説,利用被稱為“自旋軌道轉矩”的物理現象,可以不用通電線圈,僅用通電的特殊半導體薄膜材料就能改變存儲介質的磁性,從而實現磁存儲。
該團隊用新方法改變了一個直徑約500納米的鈷金屬點的磁性,發現在給其附近的導線通電後,在不到1納秒的時間內,鈷金屬點的磁性就發生了改變。並且鈷金屬點可如此反復經歷上萬億次的磁性變化,説明它可成為高速且耐用的存儲介質。與傳統線圈方式的磁存儲器相比,新方法不僅速度快,還不會因為線圈的電阻而消耗能量,能效更高。
研究人員説,這一新技術有望讓計算機的內存用上磁存儲器。目前許多計算機的內存採用電存儲器,關機斷電後內存中的信息就會被清空,因此重新開機時需要較長時間。而磁存儲可以在斷電後仍然保留數據,因此如果計算機用上磁內存,有望大大減少開機啟動的時間。
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