新華社日內瓦９月１０日電（記者劉曲）磁存儲是已被使用數十年的存儲技術，但它的一個問題是速度較低。瑞士研究人員報告説，找到了極大提高磁存儲速度的方法，有望讓電腦在不久的將來用上高速的磁記憶體，從而大大減少電腦啟動時間。

　　自從國際商用機器公司（ＩＢＭ）于１９５６年推出第一個磁片記憶體以來，磁記憶體因其長壽命和低成本的優勢，一直被用來存儲資訊，比如作為電腦的硬碟。傳統磁記憶體通過帶電線圈産生的磁場變化來改變存儲介質的磁性，從而實現存儲資訊，但其速度跟不上越來越快的電腦處理器，難以用作對速度要求高的記憶體。

　　瑞士蘇黎世聯邦理工大學材料係教授彼得羅·甘巴爾代拉領導的團隊在新一期英國《自然·奈米技術》雜志上發表報告説，利用被稱為“自旋軌道轉矩”的物理現象，可以不用通電線圈，僅用通電的特殊半導體薄膜材料就能改變存儲介質的磁性，從而實現磁存儲。

　　該團隊用新方法改變了一個直徑約５００奈米的鈷金屬點的磁性，發現在給其附近的導線通電後，在不到１納秒的時間內，鈷金屬點的磁性就發生了改變。並且鈷金屬點可如此反覆經歷上萬億次的磁性變化，説明它可成為高速且耐用的存儲介質。與傳統線圈方式的磁記憶體相比，新方法不僅速度快，還不會因為線圈的電阻而消耗能量，能效更高。

　　研究人員説，這一新技術有望讓電腦的記憶體用上磁記憶體。目前許多電腦的記憶體採用電記憶體，關機斷電後記憶體中的資訊就會被清空，因此重新開機時需要較長時間。而磁存儲可以在斷電後仍然保留數據，因此如果電腦用上磁記憶體，有望大大減少開機啟動的時間。

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責任編輯： 馮文雅