新華社武漢４月１１日電（記者陳俊）位于武漢“中國光谷”的國家記憶體基地項目晶片生産機臺１１日正式進場安裝，這標誌著國家記憶體基地從廠房建設階段進入量産準備階段，我國首批擁有完全自主智慧財産權的３２層三維ＮＡＮＤ快閃記憶體晶片將于年內量産，從而填補我國主流記憶體領域空白。

　　目前，我國通用記憶體基本全部依賴進口，國家記憶體基地于２０１７年成功研發我國首顆３２層三維ＮＡＮＤ快閃記憶體晶片。這顆耗資１０億美元、由１０００人的團隊歷時２年自主研發的晶片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水準的主流晶片，有望使我國進入全球存儲晶片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

　　據介紹，國家記憶體基地項目２０１６年由紫光集團聯合國家積體電路産業投資基金、湖北積體電路産業投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資２４０億美元，項目一期總産能將達到３０萬片／月，年産值將超過１００億美元。

　　紫光集團董事長趙偉國表示，今年１０月設備將點亮投産，預計２０１９年底６４層快閃記憶體産品將實現爬坡量産。未來十年，紫光集團計劃至少還將投資１０００億美元，相當于平均每年投入１００億美元，進一步拉近我國在高端晶片領域與先進國家的距離。

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責任編輯： 張樵蘇