全國人大代表、華中科技大學電腦學院院長、教授馮丹
新華網北京3月8日電（付琳）全國人大代表、華中科技大學電腦學院院長、教授馮丹近日接受新華網兩會採訪時表示，武漢國家記憶體基地于2020年推出的128層QLC 3D NAND産品，實現了快閃記憶體記憶體晶片國産化，抓住了産業發展機遇，解決我國記憶體卡脖子問題的關鍵，如今正在部署下一代記憶體技術。
存儲晶片作為數據的載體，是資訊社會的基石，以快閃記憶體為代表的現有存儲晶片將繼續在大容量、高性能、高可靠核心技術上取得突破，以應對互聯網大數據時代數據爆炸式增長需要。馮丹表示，“十三五”期間，我國積體電路産業規模不斷增長，技術創新取得了突破，“十四五”期間將會有更多創新技術涌現。下一代高速低能耗非易失記憶體技術、存算一體化晶片技術將成為新的發展趨勢。
高端晶片的設計和生産是一個係統性工程，其中涉及材料、機械、微納工藝、微電子、電腦等多個學科，缺一不可。馮丹指出，目前存儲晶片還處于補短板和追趕的階段，缺乏先進技術，缺少領軍人才，這是現階段面臨的最大挑戰。行業所需的人才不僅需要科研業務強、有一線工作經驗的高素質工程師，又需要具有前瞻視野的産業科學家，還需要了解晶片行業的投資人。“未來需要進一步加強學科群建設，建設集合技術、人才、産業等完整的生態圈來共同培育促進。”馮丹説。
創新驅動實質是人才驅動，人是科技創新最關鍵的因素，從科技創新人才後備力量的輸送角度來看，培養未來科技創新人才，還要厚植科技創新沃土。馮丹表示，通過選拔品學兼優的中學生走進大學，在自然科學、基礎學科等領域著名科學家的指導下，參加科學研究、學術研討和科研實踐，使中學生感受名師魅力，體驗科研過程，可進一步激發學生的科研熱情，提高創新能力。中國科協和教育部主辦的“英才計劃”等科技教育項目，就很好地促進了中學教育與大學教育相銜接，是建立高校與中學聯合發現和培養青少年科技創新人才的有效模式，為青少年科技創新人才不斷涌現和成長營造了良好的社會氛圍。
