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三星半導體二期項目在西安投資將超140億美元
2019-05-17 18:56:46 來源: 新華網
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  新華社西安5月17日電(記者李華、薛天)記者近日從位于西安高新區的三星(中國)半導體有限公司採訪了解到,三星半導體高端存儲晶片二期項目總投資將超過140億美元。二期項目已于2018年3月開工建設,預計今年7月份建成,2020年一季度實現量産。

  三星(中國)半導體有限公司副總裁池賢基在採訪中説,三星半導體的存儲晶片二期項目分為兩個階段,第一階段投資70億美元,第二階段詳細計劃還未出爐,但預計會超過70億美元,總投資將超過140億美元。

  2012年,西安高新區成功引進三星電子存儲晶片項目,生産“V-NAND”快閃記憶體晶片。一期項目于2014年5月竣工投産。“一期項目計劃投資70億美元,實際總投資超過了100億美元。”池賢基説。

  據介紹,直接在中國生産“V-NAND”快閃記憶體晶片,將使三星更有效率地應對市場的變化和顧客的需求。池賢基説,三星半導體繼續投建二期項目,表示他們對中國經濟很有信心。

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【糾錯】 責任編輯: 王佳寧
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