新華網 正文
新技術可讓金屬鉑“化身”半導體
2018-08-09 10:08:45 來源: 新華網
關注新華網
微博
Qzone
評論
圖集

  新華社東京8月9日電(記者華義)日本研究人員最新研究發現,金屬鉑制成只有2奈米厚的超薄膜時,可以擁有類似硅等半導體的特性。研究人員認為,這一發現挑戰了對于半導體材料的傳統認知,有助于推動相關領域發展。

  傳統意義上,金屬和半導體被嚴格區分,金屬一般導電性能好,而半導體介于絕緣體和導體之間,導電性可受控制。用硅等常見半導體材料制造的電晶體廣泛應用于各種電子設備中。

  京都大學研究小組發現,在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2奈米厚的超薄膜時,它可以像半導體一樣,通過外部電壓控制電阻。

  此外,研究人員還發現鉑能夠大幅調節和控制“自旋軌道耦合”這一效應。自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用,在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應。

  研究小組稱,這一發現與傳統的固體物理學常識不符,將有助于電子學和自旋電子學領域的發展。這一研究成果已發表在新一期英國《自然·通訊》雜志上。

+1
【糾錯】 責任編輯: 楊婷
新聞評論
載入更多
新疆:遠方的路
新疆:遠方的路
武漢青山長江大橋主跨首節鋼梁架設成功
武漢青山長江大橋主跨首節鋼梁架設成功
穿行峽谷間 漂流健身樂
穿行峽谷間 漂流健身樂
暑期公益課堂 感受科技魅力
暑期公益課堂 感受科技魅力

010020010010000000000000011199701123245151