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我國首批32層三維NAND閃存芯片年內將量産
2018-04-11 16:40:48 來源: 新華網
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  新華社武漢4月11日電(記者陳俊)位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生産機臺11日正式進場安裝,這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量産準備階段,我國首批擁有完全自主知識産權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量産,從而填補我國主流存儲器領域空白。

  目前,我國通用存儲器基本全部依賴進口,國家存儲器基地于2017年成功研發我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發的芯片,是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,有望使我國進入全球存儲芯片第一梯隊,有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

  據介紹,國家存儲器基地項目2016年由紫光集團聯合國家集成電路産業投資基金、湖北集成電路産業投資基金、湖北科投共同投資建設,總投資240億美元,項目一期總産能將達到30萬片/月,年産值將超過100億美元。

  紫光集團董事長趙偉國表示,今年10月設備將點亮投産,預計2019年底64層閃存産品將實現爬坡量産。未來十年,紫光集團計劃至少還將投資1000億美元,相當于平均每年投入100億美元,進一步拉近我國在高端芯片領域與先進國家的距離。

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【糾錯】 責任編輯: 張樵蘇
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