鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片示意圖。中國科學院上海微系統與信息技術研究所供圖

      中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣團隊聯合瑞士洛桑聯邦理工學院的托比亞斯·基彭貝格團隊，在鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片製備領域取得突破性進展。相關成果5月8日發表於《自然》。

      近年來，鈮酸鋰受到廣泛關注，有“光學硅”之稱，美國哈佛大學等國外高校和研究機構甚至提出倣照“硅谷”模式建設新一代“鈮酸鋰谷”的方案。

      歐欣團隊與合作者通過研究發現，相比於鈮酸鋰，單晶鉭酸鋰薄膜不僅具有類似的優異電光轉換特性，並且在雙折射、透明窗口範圍、抗光折變、頻率梳産生等方面更具優勢。此外，鉭酸鋰薄膜可實現低成本和規模化製造，具有極高的應用價值。

      歐欣團隊採用基於“萬能離子刀”的異質集成技術，通過氫離子注入結合晶圓鍵合的方法，製備了高質量硅基鉭酸鋰單晶薄膜異質晶圓。他們還與合作團隊聯合開發了超低損耗鉭酸鋰光子器件微納加工方法，對應器件的光學損耗普遍低於已報道晶圓級工藝下的鈮酸鋰波導損耗值。

      鉭酸鋰光子芯片展現出與鈮酸鋰薄膜相當的電光調製效率，同時研究團隊首次在X切型電光&&中成功産生了孤子光學頻率梳，結合其電光可調諧性質，有望在激光雷達、精密測量等方面實現應用。目前，研究團隊在攻關8英寸晶圓製備技術，以為更大規模的國産光電集成芯片和移動終端射頻濾波器芯片的發展奠定核心材料基礎。

      歐欣介紹：“相較於薄膜鈮酸鋰，薄膜鉭酸鋰更易製備，且製備效率更高。同時，鉭酸鋰薄膜具有更寬的透明窗口、強電光調製、弱雙折射、更強的抗光折變特性，這种先天的材料優勢極大地拓展了鉭酸鋰&&的光學設計自由度。”