據蘇州東微半導體股份有限公司（簡稱“東微半導”）官方公眾號10月20日消息，公司與蘇州晶湛半導體有限公司（簡稱“晶湛半導體”）已達成戰略合作，共同推進12英寸氮化鎵技術與産品的研發與應用。

  東微半導認為，氮化鎵功率器件正處於從消費電子快充“單點爆發”向多領域擴張的轉折期，未來2至3年，在AI服務器電源、新能源汽車、人形機器人、光伏逆變器、工業電源等新興領域的需求將進入加速放量階段。

  基於此判斷，東微半導與晶湛半導體的合作將發揮各自優勢，採用主流的12英寸CMOS實驗線研發12寸硅基氮化鎵HEMT晶體管，共同推進12寸硅基氮化鎵功率器件的産業化進程，充分挖掘氮化鎵材料在高能效、高功率密度方面的潛力，使這一技術為上述應用領域提供更具成本效益和性能優勢的解決方案。

  據介紹，雙方的合作項目將分階段推進，初期專注於基礎外延工藝和器件結構工藝平台的搭建與優化，中期目標是在特定應用領域推出原型産品，長期希望建立起完整的12英寸氮化鎵技術生態系統，包括材料、設計、製造、封測和應用等全産業鏈環節。（錢佳瀅 仲茜）