記者18日從華中科技大學了解到，該校材料成形與模具技術全國重點實驗室教授翟天佑團隊在二維高性能浮柵電晶體記憶體方面取得重要進展，研制了一種具有邊緣接觸特徵的新型二維浮柵電晶體器件，與現有商業快閃記憶體器件性能對比，其擦寫速度、迴圈壽命等關鍵性能均有提升，為發展高性能、高密度大容量記憶體件提供了新的思路。

　　浮柵電晶體作為一種電荷記憶體，是構成當前大容量固態記憶體發展的核心元器件。然而，當前商業快閃記憶體內硅基浮柵記憶體件所需的擦寫時間約在10微秒至1毫秒范圍內，遠低于計算單元CPU納秒級的數據處理速度，且其迴圈耐久性約為10萬次，也難以滿足頻繁的數據交互。隨著電腦數據吞吐量的爆發式增長，發展一種可兼顧高速、高迴圈耐久性的存儲技術勢在必行。

　　二維材料具有原子級厚度和無懸挂鍵表面，在器件整合時可有效避免窄溝道效應和界面態釘扎等問題，是實現高密度整合、高性能快閃記憶體器件的理想材料。然而，在此前的研究中，其數據擦寫速度多異常緩慢，鮮有器件可同時實現高速和高迴圈耐久性。面對這一挑戰，翟天佑團隊研制了一種具有邊緣接觸特徵的新型二維浮柵電晶體器件，通過對傳統金屬-半導體接觸區域內二硫化鉬進行相轉變，使其由半導體相（2H）向金屬相（1T）轉變，使器件內金屬-半導體接觸類型由傳統的3D/2D面接觸過渡為具有原子級銳利界面的2D/2D型邊緣接觸，實現了擦寫速度在10納秒至100納秒、迴圈耐久性超過300萬次的高性能記憶體件。

　　“通過對比傳統面接觸電極與新型邊緣接觸，該研究説明瞭優化制備二維浮柵記憶體件內金屬-半導體接觸界面對改善其擦寫速度、迴圈壽命等關鍵性能有重要作用。”翟天佑説。

　　圖為邊緣接觸式二維浮柵記憶體的表徵及其操作性能。（受訪單位供圖）

　　這一成果以《基于相變邊緣接觸的高速、耐久二維浮柵記憶體》為題，于近日線上發表在國際學術期刊《自然·通訊》上。（記者侯文坤）