新華社上海3月16日電（記者吳振東）半導體晶片運算速度越來越快，但隨之而來的晶片發熱問題困擾著業界和學界。復旦大學科研團隊新近開發出一種介電基底修飾新技術，有望解決晶片散熱問題。相關研究成果線上發表于權威科學期刊《自然·通訊》。

　　研究表明，在一個晶片中，半導體材料和絕緣體材料之間，以六方氮化硼為材質的界面材料，將對其電子遷移率和散熱産生至關重要的影響。傳統方式是，研究人員先將其在別的“盆”裏種出來，然後移栽到晶片材料上。

　　復旦大學聚合物分子工程國家重點實驗室研究員魏大程帶領團隊，開發了一種共形六方氮化硼修飾技術，在最低溫度300攝氏度的條件下，無需催化劑直接在二氧化硅/硅片（SiO2/Si）、石英、藍寶石、單晶矽基底表面“生長”高品質六方氮化硼薄膜。這一帶來“無縫”效果的共形修飾技術，能讓晶片材料性能顯著提升。

　　專家表示，這一技術具有高普適性，不僅可以應用于基于二硒化鎢材料的電晶體器件，還可以推廣到其他材料和更多器件應用中，共形六方氮化硼也具有規模化生産和應用的巨大潛力。

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